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时间：2025-12-13 08:06:49 来源：网络整理 编辑：综合
经观汽车据报道，台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，将首次引入Gate-all-around FETsGAAFET）晶体管技术。N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的
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据报道，台积台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，继续晶圆将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。每片美元赣州市某某钢球股份业务部N2工艺还结合了NanoFlex技术，超万为芯片设计人员提供了前所未有的台积标准元件灵活性。相较于当前的继续晶圆N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的每片美元性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。超万
据悉，台积赣州市某某钢球股份业务部台积电每片300mm的继续晶圆2nm晶圆的价格可能超过3万美元，高于之前预期的每片美元2.5万美元。相比之下，超万目前3nm晶圆的台积价格大概在1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆的继续晶圆价格在1.5到1.6万美元之间。
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